硅碳棒在氧化氣氛中使用會(huì)逐漸氧化生成二氧化硅，隨之電阻逐漸增加導(dǎo)致硅碳棒老化，此外也與材料老化性能有關(guān)。氧化反應(yīng)方程式如下：SiC+2O2 → SiO2+CO2?碳化硅在空氣中與氧氣（O2）反應(yīng)，隨著二氧化硅（SiO2）數(shù)量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值加大。當(dāng)溫度達(dá)到800℃時(shí)出現(xiàn)氧化反應(yīng)，溫度越高反應(yīng)越快。這種氧化過(guò)程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反應(yīng)較快，電阻增加尤為顯著，隨著反應(yīng)的進(jìn)行，當(dāng)在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，進(jìn)入電阻穩(wěn)定區(qū)。之后隨著時(shí)間的增加，導(dǎo)電層逐漸減少，絕緣層逐漸增加，硅碳棒的內(nèi)部產(chǎn)生局部過(guò)熱，電阻快速增加。一般情況下當(dāng)阻值達(dá)到初始阻值的約3倍時(shí)，硅碳棒的壽命達(dá)到較限（而螺旋棒卻不同，要達(dá)到其初始阻值的約1.7倍）。這是因?yàn)楫?dāng)阻值增加到其3倍時(shí)，每根棒發(fā)熱分布不均勻，從而導(dǎo)致?tīng)t內(nèi)溫度分布不均勻。當(dāng)硅碳棒壽命將盡時(shí)，不但阻值會(huì)增加而且會(huì)因氣孔率的變化、強(qiáng)度變化等原因發(fā)生斷棒事件。