靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。貴重金屬的深加工技術(shù)朝高純化、精細(xì)化、的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩(wěn)定、介電強度高的無定形氧化膜，易于準(zhǔn)確方便地控制電容器的陽極氧化工藝，面積，高低溫特性好、使用壽命長、綜合性能優(yōu)、其他電容器難以與之媲美，國外對高純金屬材料的開發(fā)研究較早，英國和俄羅斯等國家意志以來都十分重視高純金屬材料的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。其生產(chǎn)的高純金屬材料品種齊全、質(zhì)量好、產(chǎn)量大，產(chǎn)品純度高可達(dá)6N以上。貴重金屬因其優(yōu)良的理化性能和高可靠性，成為保證半導(dǎo)體器件性能和發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)必不可少及不可替代的材料。此外，玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。在裝飾鍍膜中也有著廣泛的應(yīng)用。 金屬硅化物具有優(yōu)異的高溫舒緩反應(yīng)性以及良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中作為優(yōu)良的接觸材料。隨著金屬硅化物的不斷發(fā)展，主導(dǎo)的硅化物已從鈦、鈷硅化物逐步發(fā)展到低電阻、低耗硅量以及低形成溫度的鎳硅化物。鎳鉑硅化物薄膜在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路中。隨著肖特基二極管工藝不斷發(fā)展，金屬硅化物-硅接觸已取代了傳統(tǒng)的金屬-硅接觸，避免了表面缺陷與沾污，降低了表面態(tài)的影響，提高了器件的正向特性、反向耐壓、反向能量沖擊、耐高溫、抗靜電、抗燒毀能力。