芯片設(shè)計(jì)是半導(dǎo)體上游的部分，設(shè)計(jì)工種又可粗略分為前端代碼設(shè)計(jì)、系統(tǒng)驗(yàn)證與應(yīng)用、后端布局布線和供應(yīng)鏈。氧化錫銻(ATO)具有以下不錯(cuò)的性能。導(dǎo)電性，均勻分散的導(dǎo)電納米超微粒子的相互作用形成導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜中電荷移動(dòng)可實(shí)現(xiàn)高透射率和防靜電（30Ω.cm2），透明性，ATO納米超微粒子對可視光（380nm-780nm）的吸收率極弱，而且對可視光難以散射的大小粒子組成，所以有著高的透明性。隔紅外、隔紫外、防輻射性能，能有效地阻止紅外輻射和紫外線輻射，阻隔紅外效果達(dá)80%以上，阻隔紫外效果達(dá)65%以上。 靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術(shù)壁壘。銀是目前使用廣泛的導(dǎo)電層薄膜材料之一。和超大規(guī)模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片材料的強(qiáng)者，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，高電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。 UVTM有自身優(yōu)勢，多年在材料研發(fā)和應(yīng)用上的積累，生產(chǎn)制造到成品靶材的全過程，擁有垂直產(chǎn)業(yè)鏈；在集成電路先進(jìn)制程前道工藝所需要的新材料產(chǎn)品方面已經(jīng)取得一定成績,G8.5代、G6代液晶面板的非常高純鋁濺射靶材也已開始給國內(nèi)液晶面板的企業(yè)供貨。合為客戶提供“一站式”靶材解決方案。在沒有美國設(shè)備的情況下，理論上建立一條半導(dǎo)體生產(chǎn)線是可行的，但日本、歐洲乃至中國國內(nèi)的設(shè)備在許多領(lǐng)域。靶材用于非常高清(UHD)TFT-LCD面板我們獨(dú)有的產(chǎn)品組合為客戶提供“一站式”靶材解決方案。產(chǎn)品組合包含及其廣泛的材料選擇，可以根據(jù)客戶要求提供單一元素或多種組分的濺射靶材。包括特殊陶瓷、金屬基復(fù)合材料(MMC)以及陶瓷基復(fù)合材料(C)。主要產(chǎn)品有各種磁控濺射鍍膜靶材，半導(dǎo)體化合物，高純金屬及貨品靶材中間合金，多元陶瓷材料及靶材。 真空鍍膜機(jī)是目前制作真空條件應(yīng)用較為廣泛的真空設(shè)備，一般用真空室、真空機(jī)組、電氣控制柜三大部分組成，排氣系統(tǒng)采用“擴(kuò)散泵 機(jī)械泵＋羅茨泵＋低溫冷阱＋polycold;組成。專業(yè)從事真空鍍膜設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)擁有經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)團(tuán)隊(duì)及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)隊(duì)伍為您解決設(shè)備在使用過程中遇到的任何問題。真空主體;真空腔根據(jù)加工產(chǎn)品要求的各異，真空腔的大小也不一樣，目前應(yīng)用較多的有直徑1.3M、0.9M、1.5M、1.8M等，腔體由不銹鋼材料制作，要求不生銹、堅(jiān)實(shí)等，真空腔各部分有連接閥，用來連接各抽氣泵浦。抽氣系統(tǒng)：排氣系統(tǒng)為鍍膜機(jī)真空系統(tǒng)的重要部分，主要有由機(jī)械泵、增壓泵（主要介紹羅茨泵）、油擴(kuò)散泵三大部分組成。 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機(jī)械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的壓力單軸向加壓，同時(shí)以1000℃～1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小，燒結(jié)溫度較低，燒結(jié)較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻。 大尺寸高純靶材市場被日韓企業(yè)占據(jù)。高純?yōu)R射靶材上游的高純金屬市場主要被日韓企業(yè)壟斷，目前高純?yōu)R射靶材的主要供應(yīng)商為日本三井、東曹、日立、三星、康寧，國內(nèi)企業(yè)在大尺寸高純靶材的生產(chǎn)能力與外資相比仍有差距。ITO、IWO靶材已逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，國產(chǎn)化有望將電池的靶材成本降低57%。目前國內(nèi)先導(dǎo)、映日等企業(yè)ITO靶材已較為成熟，先導(dǎo)通過收購優(yōu)美科國際公司，其靶材生產(chǎn)的純度、密度大幅提升，長度可達(dá)4000毫米，目前SCOT靶材正在研發(fā)，IWO壹納光電已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)。以IWO靶材為例，在同樣是4-4.5g/cm的密度下，***靶材價(jià)格為3200元/kg，對應(yīng)電池靶材成本0.6-0.7元/片，國產(chǎn)靶材價(jià)格約2000元/kg，對應(yīng)電池靶材成本0.2-0.3元/片，采用國產(chǎn)靶材電池單片成本可降低57%。