UVTM的硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品，已獲得多家手機玻璃蓋板生產(chǎn)客戶的認可，并已實現(xiàn)批量供貨。色彩一直是時尚設計的熱點，而手機配色也是F設計師們設計的重點之一。5G時候手機后蓋去金屬化，然而不管是玻璃、陶瓷、塑膠材質(zhì)的手機外觀結構件，F(xiàn)設計師們都會考慮酷炫紋理、金屬質(zhì)感、亮銀色、陶瓷光澤、漸變色等效果，而這些良好的裝飾效果都離不開PVD真空鍍膜。金屬中框也需要和后蓋保持同樣炫麗的外觀，iPhoneXS金色及太空灰色系列不銹鋼中框就是采用的PVD色彩工藝。我們?yōu)榭蛻籼峁└鞣N稀有金屬靶材，多種材料合金靶材，陶瓷靶材，粉末和顆粒靶材，主要有鉻、鈦、不銹鋼、硅、鉬、錫、石墨、ITO、鎳鉻、鈦鋁、鉻銅邦定等靶材。       low-e玻璃具有可以阻止空氣由熱向冷傳遞的特性,其指標有：輻射率、可見光透射比、遮陽系數(shù)、傳熱系數(shù)、耐磨性、耐酸堿性目前有兩種主要生產(chǎn)方法：在線高溫熱解沉積法和離線真空磁控濺射法，其產(chǎn)品分別叫在線low-e玻璃和離線low-e玻璃。在AZO薄膜的制備方法中，磁控濺射技術具有成膜致密和成本低等優(yōu)點。要獲得高性能的AZO薄膜，直流磁控濺射一般要求基片加熱到200~500℃，提高了實際應用中的成本，縮小了AZO薄膜的應用范圍。術可以在低溫下制備高性能的AZO薄膜，但是沉積速率太低，無法滿足實際生產(chǎn)的需求。將直流射頻耦合，濺射則具有兩者的優(yōu)點，一方面有較高的沉積速率，另一方面由于射頻的加入，具有較高的等離子體密度。       半導體硅用于制作半導體器件?？傮w來講，硅主要用來制作高純半導體、耐高溫材料、光導纖維通信材料、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系硅化合物、合金等，被廣泛應用于航空航天、電子電氣、建筑、運輸、能源、化工、紡織、食品、輕工、、農(nóng)業(yè)等行業(yè)。半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來，相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。硅的原子結構決定了硅原子具有一定的導電性，但由于硅晶體中沒有明顯的自由電子，因此導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導體性質(zhì)。國際上通常把商品硅分成金屬硅和半導體硅，金屬硅主要用來制作多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金的化合物。       HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，其結構是以N型單晶硅片作襯底，正反面依次沉積本征非晶硅薄膜、摻雜非晶硅薄膜、金屬氧化物導電層TCO，再通過絲網(wǎng)印刷制作正負電極，從而導出電流。比較成熟，成本占比不高，大約5%左右。HIT 薄膜電池帶動光伏靶材需求。目前國內(nèi)光伏電池主要以硅片涂覆型太陽能電池為主，薄膜電池以及HIT占比較低，但是未來增長潛力較大。2018年大部分國家薄膜電池量保持11%增長，預計未來維持10%以上；HIT有望保持高速增長，隨著國內(nèi)投資熱情高漲，產(chǎn)能有望從目前2GW增長至2024年的100GW以上。綜合測算，預計我國太陽能電池用靶材市場規(guī)模持續(xù)擴大。CAGR保持在15%以上，到2024年，我國太陽能電池用靶材行業(yè)市場規(guī)模有望打破70億元。       MINILED及MicLED是近年來顯示領域發(fā)展的新型顯示技術，廣泛應用于VR、平板、電競筆電、顯示器等領域。尤特新材料項目投資總額為2億元。一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上。產(chǎn)品質(zhì)量。同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。將ITO玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極,其中兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強度對濺射電壓的影響當磁場強度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當磁場強度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強度越高、濺射電壓越低。       非常高純鋁濺射靶基材為非常高純鋁靶材的金屬原材料。電子濺射靶材可以分為半導體靶材、鍍膜玻璃靶材、太陽能光伏靶材、裝飾鍍靶材等。材質(zhì)：Si、Al規(guī)格：可以按照用戶需要定制。汽車玻璃)工業(yè)等行業(yè)。在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術（如LCD、PDP、OLED及FED等）的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求。需求數(shù)量也逐年增加。國內(nèi)靶材顯示市場預測國內(nèi)靶材磁記錄市場預測年中國靶材行業(yè)發(fā)展研究分析與市場前景預測報告對我國靶材行業(yè)現(xiàn)狀、發(fā)展變化、競爭格局等情況進行深入的調(diào)研分析。       FFC法制備鈦硅合金采用FFC法直接用TiO2和SiO2為原料熔鹽電解直接制備鈦硅合金，主要包括陰極制備和電解兩個部分。陰極制備流程包括如下步驟：均勻混合TiO2、SiO2粉末；添加1％(質(zhì)量比)的聚乙烯醇作為粘結劑；20MPa壓力下壓成形；1200℃下燒結4h；燒結后的片體和鉬絲、鎳硅絲組裝成復合陰極。適宜的電解條件為：以燒結的TiO2-SiO2片體為陰極,石墨坩堝為陽極,電解溫度900℃、電解電壓3.0V。其原料的處理較繁瑣。目前還沒有見到電硅熱還原鈦****一步合成制備鈦硅合金。鈦合金的種類及各鈦合金中的化學成分，其硅含量較低，鈦含量較高，硅的含量低于0.6％，鈦硅合金Ti-6Al-0.6Cr-0.4Fe-0.4Si-0.01B，其Al含量50～6.5％，Gr含量0.4～0.9％，F(xiàn)e 0.25～0.60％，Si含量0.25～0.60％，B含量0.01％，其它元素含量0.40，余量為Ti，合金的密度較高。目前這種鈦硅合金材料，它的鈦硅合金鈦含量低，硅含量高，合金密度低，用于航空，航海等領域可節(jié)約能耗。