該設備主要通過磁控濺射的方式實現ITO薄膜的濺射，子創(chuàng)公司在該設備的設計中充分考慮到觸摸屏用ITO導電膜對本底真空、清潔度、電導率、膜層均勻性等關鍵指標的要求，運用了多項擁有自主知識產權的關鍵技術，核心部件采用國際，提高設備的綜合性能和性價比。 特點：1.真空室體材料采用 SUS304 ，內壁進行拋光處理，外壁拋光后噴珠。2.獨立門閥—插板閥隔開，隔離性好，工藝穩(wěn)定。3.磁導向傳動，穩(wěn)定性好。4.變頻調速電機驅動，準確控制傳動速度。5.PLC總線控制，人機界面友好，操作極為簡便 技術參數：本底真空：6.0E-6mbar平均生產周期：根據產品確定基片架尺寸：根據要求定做膜層均勻性：±3%